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SUP18N15-95
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.095 at V GS = 10 V
150
0.100 at V GS = 6 V
I D (A)
18
17.5
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TO-220AB
D
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
S
Ordering Information: SUP18N15-95
N-Channel MOSFET
SUP18N15-95-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
150
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy a
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
E AS
18
10.3
25
15
16.2
A
mJ
88
Maximum Power Dissipation
a
T C = 25 °C
P D
b
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (Free Air)
Junction-to-Case
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
85
1.7
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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